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Coauteurs

Erfan AbbasianBabol Noshirvani University of TechnologyAdresse e-mail validée de nit.ac.ir
ADIL ZAIDIMEWAT ENGINEERING COLLEGE , NUHAdresse e-mail validée de mecw.ac.in
Mehrzad KaramimaneshShiraz university of technologyAdresse e-mail validée de sutech.ac.ir
Morteza GholipourBabol Noshirvani University of TechnologyAdresse e-mail validée de nit.ac.ir

Mohd Sahid

Mohd Sahid

Mewat Engineering Collage

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Low Power Circuit SRAM VLSI Nanotechnology


Titre Trier par citations Trier par année Trier par titre	Citée par Citée par	Année
A schmitt-trigger-based low-voltage 11 T SRAM cell for low-leakage in 7-nm FinFET technology E Abbasian, E Mani, M Gholipour, M Karamimanesh, M Sahid, A Zaidi Circuits, Systems, and Signal Processing 41 (6), 3081-3105, 2022	21	2022
Carbon-MOSFET Based Ternary Logic Gates at 32 nm Channel Length: An Exploration ZAA Adil Zaidi, Mujeev Khan, Mohd Saib, Mohd Sahid, Shaheen Khan, M. Nizamuddin Design Engineering 2021 (09), 2021		2021

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